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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/9/11 9:34:02 查看 閱讀�196

二極�30 V�4.6 A,N溝道,帶2.0 A肖特基勢��2x2 mm WDFN封裝

參數(shù)

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點(diǎn):二極管(隔離式�
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25℃:70毫歐 2A,4.5V
  漏極至源極電�(Vdss)�30V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25℃:2.5A
  Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�1V 250μA
  閘電�(Qg) Vgs�6.5nC 4.5V
  在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�427pF 15V
  功率-最大:710mW
  安裝類型:表面貼�
  封裝/外殼�6-VDFN
  包裝:帶�(TR)
  供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TDFN
  其它名稱:NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR

特�

  • WDFN封裝提供外露排水�,實(shí)�(xiàn)卓越的熱傳導(dǎo)
      共封裝MOSFET和肖特基,便于電路布局
      RDS(開啟)額定電壓為低VGS(開啟)電平,VGS=1.5 V
      薄型�<0.8 mm�,便于在薄環(huán)境中安裝
      低VF肖特�
      這是一�(gè)無鉛�(shè)�


ntljf4156nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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ntljf4156nt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)二極管(隔離式)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds427pF @ 15V
  • 功率 - 最�710mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-WDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-WDFN�2x2�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR