二極�30 V�4.6 A,N溝道,帶2.0 A肖特基勢��2x2 mm WDFN封裝
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式�
開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25℃:70毫歐 2A,4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25℃:2.5A
Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�1V 250μA
閘電�(Qg) Vgs�6.5nC 4.5V
在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�427pF 15V
功率-最大:710mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�6-VDFN
包裝:帶�(TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TDFN
其它名稱:NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR
WDFN封裝提供外露排水�,實(shí)�(xiàn)卓越的熱傳導(dǎo)
共封裝MOSFET和肖特基,便于電路布局
RDS(開啟)額定電壓為低VGS(開啟)電平,VGS=1.5 V
薄型�<0.8 mm�,便于在薄環(huán)境中安裝
低VF肖特�
這是一�(gè)無鉛�(shè)�