NTJS4151PT1G是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體管,專為高頻、高效能�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的GaN-on-Silicon工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適合用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器以及無線充電等場�。其封裝形式為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝器�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和安裝�
該型號是恩智浦(NXP)推出的GaN系列的一部分,旨在推�(dòng)高效率和小型化的電力電子解決方案�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:35mΩ
柵極電荷�75nC
開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
�(jié)溫范圍:-40℃至+150�
封裝類型:LFPAK EdgeClip
NTJS4151PT1G的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:該器件支持高�(dá)600V的工作電�,適用于各種高壓�(yīng)用場景�
2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為35mΩ,在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低功��
3. 快速開�(guān)性能:得益于GaN材料的優(yōu)異性能,該器件可以�(shí)�(xiàn)高達(dá)5MHz的開�(guān)頻率,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基MOSFET�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能,工作結(jié)溫可�(dá)150℃�
5. 小型化封裝:采用LFPAK EdgeClip封裝,不僅節(jié)省空�,還提高了散熱性能�
6. 高效能源�(zhuǎn)換:特別適合需要高效率和小尺寸的應(yīng)用場�,例如服�(wù)器電�、電�(dòng)車充電器和無線充電設(shè)��
NTJS4151PT1G廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
1. 電源適配器和充電器:支持快速充電功�,同�(shí)縮小體積和重��
2. �(shù)�(jù)中心電源:提高效率并減少熱損��
3. 電動(dòng)交通工具:用于車載充電器和逆變��
4. 工業(yè)電源系統(tǒng):如不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括無線充電器和便攜式儲能裝��
NTJD4150PT1G, NTJM4152PT1G