NTHD4P02FT1G 是一款基于硅技�(shù)� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (MOSFET),專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用 TO-263 封裝,適用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(chǎng)景�
其低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其在高效能電源管理領(lǐng)域表�(xiàn)出色,同�(shí)封裝形式便于散熱和集成到各種電子系統(tǒng)中�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.9A
�(dǎo)通電阻:17mΩ
柵極電荷�8nC
總電容:430pF
工作溫度范圍�-55� to 150�
NTHD4P02FT1G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少傳�(dǎo)損�,提高效��
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,使得它非常適合高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
5. 封裝�(jiān)固耐用,適合高密度組裝及長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
6. �(nèi)�?jī)?yōu)化設(shè)�(jì)降低了寄生電感與電容影響,�(jìn)一步提升了整體性能�
� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的負(fù)載控��
4. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
5. 通信�(shè)備中的信�(hào)切換�
6. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的保�(hù)電路和功率管理模塊�
NTHD4P02FT1GA, IRFZ44N, FDN340P