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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTHD3101FT3G

NTHD3101FT3G 發(fā)布時間 時間�2023/12/12 10:08:00 查看 閱讀�164

描述:20V,4.4A,P溝道MOSFET,帶肖特基二極�

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V):20
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏極電流Id(on)(A):4.400
通道極�:P
封裝/溫度(�):ChipFET/-55~150

nthd3101ft3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nthd3101ft3g參數(shù)

  • 標準包裝10,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點二極管(隔離式)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 3.2A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)