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NTHC5513T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 10:51:02 查看 閱讀�617

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:N � P 溝道
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�80 毫歐 @ 2.9A, 4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.9A, 2.2A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1.2V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�4nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �180pF @ 10V
功率 - 最大:1.1W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-ChipFET?
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:ChipFET
其它名稱:NTHC5513T1GOSNTHC5513T1GOS-NDNTHC5513T1GOSTR

資料

廠商
ON Semiconductor

nthc5513t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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nthc5513t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列chipfet™
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.9A�2.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 2.9A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTHC5513T1GOSNTHC5513T1GOS-NDNTHC5513T1GOSTR