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NTGS3455T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 11:22:59 查看 閱讀�851

-3.5A,-30 V功率MOSFET


目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�30

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�100

最大漏極電流Id(on)(A)�3.500

通道極性:P溝道

封裝/溫度(�):TSOP-6/-55 ~150

資料

廠商
ON Semiconductor

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ntgs3455t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 3.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds480pF @ 5V
  • 功率 - 最�500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTGS3455T1GOSNTGS3455T1GOS-NDNTGS3455T1GOSTR