-3.5A,-30 V功率MOSFET
源漏極間雪崩電壓VBR(V)�30
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�100
最大漏極電流Id(on)(A)�3.500
通道極性:P溝道
封裝/溫度(�):TSOP-6/-55 ~150
IC型號(hào)索引� A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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