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NTGS3443BT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 14:41:07 查看 閱讀�22

NTGS3443BT1G 是一款高性能� N 灃道溝增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備出色的�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,適用于廣泛的電源管�、消�(fèi)電子及工�(yè)�(yīng)用�
  NTGS3443BT1G 以其低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷特性而聞�,能夠顯著提高電路效率并減少功率損��

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電� VDS�60V
  最大柵源電� VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流 ID�80A
  �(dǎo)通電� RDS(on)�2.5mΩ(典型�,VGS=10V�
  柵極電荷 Qg�76nC(典型值)
  總電� Ciss�2780pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

NTGS3443BT1G 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on) 典型值為 2.5mΩ�,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力(80A),使其適合大電流應(yīng)��
  3. �(yōu)化的開關(guān)特性,柵極電荷較小,可�(shí)�(xiàn)快速開�(guān)操作,降低開�(guān)損��
  4. 寬廣的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
  6. 提供 TO-220 封裝形式,便于散熱設(shè)�(jì)與安裝�
  這些特性使� NTGS3443BT1G 成為 DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

NTGS3443BT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和控制開�(guān)�
  3. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻器驅(qū)��
  4. 電動車和混合動力車中的電�(jī)�(qū)動和電源�(zhuǎn)��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  由于其高效率和強(qiáng)大的性能,NTGS3443BT1G 在需要高性能和高可靠性的場景中表�(xiàn)尤為出色�

替代型號

NTGS3442PT1G
  IRF3710
  FDP5500
  STP80NF06L

ntgs3443bt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ntgs3443bt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 3.7A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds819pF @ 10V
  • 功率 - 最�700mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)