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NTGS3136PT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/10 11:13:59 查看 閱讀�780

分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)� 

家庭:MOSFET,GaNFET - � 

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 特點(diǎn):邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�33 毫歐 @ 5.1A, 4.5V

漏極至源極電�(Vdss)�20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�3.7A

Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA 

閘電�(Qg) @ Vgs�29nC @ 4.5V

� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �1901pF @ 10V

功率 - 最大:700mW

安裝類型:表面貼� 

封裝/外殼:SC-74-6 

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP

資料

廠商
ON Semiconductor

ntgs3136pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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ntgs3136pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫歐 @ 5.1A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1901pF @ 10V
  • 功率 - 最�700mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTGS3136PT1G-NDNTGS3136PT1GOSTR