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NTGD4161PT1G 發(fā)布時間 時間�2023/11/6 17:51:50 查看 閱讀�227

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:2 � P 溝道(雙�
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�160 毫歐 @ 2.1A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�1.5A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�3V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�7.1nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �281pF @ 15V
功率 - 最大:600mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:SC-74-6
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP

ntgd4161pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntgd4161pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫歐 @ 2.1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.1nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds281pF @ 15V
  • 功率 - 最�600mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)