NTGD3133PT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,采用先�(jìn)的增�(qiáng)� GaN FET �(jié)�(gòu)。該器件專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少系統(tǒng)尺寸�
它適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器、無線充電設(shè)備以及其他需要高效率和高頻工作的�(yīng)用場(chǎng)�。該型號(hào)� Nexperia 提供,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和工�(yè)�(lǐng)域�
最大漏源電壓:600V
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�40nC
連續(xù)漏極電流�9A
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
NTGD3133PT1G 的主要特性包括其卓越的熱性能和電氣性能�
1. 基于氮化鎵技�(shù),提供比傳統(tǒng)� MOSFET 更高的效率和更低的開�(guān)損��
2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保在大電流�(yīng)用中降低功��
3. 快速開�(guān)能力,支� MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)��
4. 高擊穿電� (600V),使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 小巧的封裝設(shè)�(jì)(如 PDFN5x6)可節(jié)� PCB 占用空間�
6. 完全兼容�(biāo)�(zhǔn)硅驅(qū)�(dòng)電路,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)和升�(jí)過程�
7. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��
這款 GaN 晶體管適用于多種電力電子�(yīng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的 PFC � LLC �(zhuǎn)換器�
2. USB PD 充電器及快充適配��
3. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源模塊�
4. 電動(dòng)汽車車載充電� (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控制�
6. 無線充電�(fā)射端與接收端�(shè)�(jì)�
由于其高效的能量�(zhuǎn)換能�,NTGD3133PT1G 成為追求高性能和緊湊設(shè)�(jì)的理想選��
NTGD3134PT1G, NTGD3135PT1G