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NTGD3133PT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 16:31:41 查看 閱讀�11

NTGD3133PT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,采用先�(jìn)的增�(qiáng)� GaN FET �(jié)�(gòu)。該器件專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少系統(tǒng)尺寸�
  它適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器、無線充電設(shè)備以及其他需要高效率和高頻工作的�(yīng)用場(chǎng)�。該型號(hào)� Nexperia 提供,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和工�(yè)�(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  �(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷�40nC
  連續(xù)漏極電流�9A
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

NTGD3133PT1G 的主要特性包括其卓越的熱性能和電氣性能�
  1. 基于氮化鎵技�(shù),提供比傳統(tǒng)� MOSFET 更高的效率和更低的開�(guān)損��
  2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保在大電流�(yīng)用中降低功��
  3. 快速開�(guān)能力,支� MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)��
  4. 高擊穿電� (600V),使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 小巧的封裝設(shè)�(jì)(如 PDFN5x6)可節(jié)� PCB 占用空間�
  6. 完全兼容�(biāo)�(zhǔn)硅驅(qū)�(dòng)電路,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)和升�(jí)過程�
  7. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��

�(yīng)�

這款 GaN 晶體管適用于多種電力電子�(yīng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的 PFC � LLC �(zhuǎn)換器�
  2. USB PD 充電器及快充適配��
  3. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源模塊�
  4. 電動(dòng)汽車車載充電� (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控制�
  6. 無線充電�(fā)射端與接收端�(shè)�(jì)�
  由于其高效的能量�(zhuǎn)換能�,NTGD3133PT1G 成為追求高性能和緊湊設(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

NTGD3134PT1G, NTGD3135PT1G

ntgd3133pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntgd3133pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C145 毫歐 @ 2.2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 10V
  • 功率 - 最�560mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)