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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTF6P02T3G

NTF6P02T3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/12 11:27:30 查看 閱讀�762

NTF6P02T3G技�(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�50

最大漏極電流Id(on)(A)�

通道極性:P溝道

封裝/溫度(�):SOT-223/-55 ~150

描述�-20 V, -6.0A功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

ntf6p02t3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ntf6p02t3g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 6A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 16V
  • 功率 - 最�8.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTF6P02T3GOSNTF6P02T3GOS-NDNTF6P02T3GOSTR