NTF3055L175T1G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的功� MOSFET 系列。該器件專為高效率開�(guān)�(yīng)用設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于多種電力電子場��
其主要特�(diǎn)在于�(yōu)化了�(dǎo)通電阻與柵極電荷之間的平�,從而在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。此�,該器件采用� TO-220 封裝形式,具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�175A
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�96nC
功耗:135W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
NTF3055L175T1G 的導(dǎo)通電阻非常低,僅� 2.8mΩ,這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損��
同時,該器件的柵極電荷相對較小,僅為 96nC,這意味著在高頻開�(guān)�(yīng)用中,驅(qū)動損耗較低,�(jìn)一步提升了整體效率�
它的封裝形式� TO-220,這種封裝具有良好的熱性能,能夠有效將熱量散發(fā)到外部環(huán)�,適合長時間�(yùn)行在高功率條件下�
此外,該 MOSFET 的漏源電壓額定值為 55V,使其非常適合低壓大電流的應(yīng)用場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動器以及電池管理系統(tǒng)��
工作溫度范圍寬廣,從 -55°C � +175°C,確保了其在極端�(huán)境下的可靠性和�(wěn)定性�
NTF3055L175T1G 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和大電流處理能力的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動器
4. 工業(yè)自動化設(shè)�
5. 電動汽車中的電池管理系統(tǒng)
6. 大功� LED �(qū)動器
7. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)
由于其出色的電氣特性和熱性能,這款 MOSFET 成為了許多高性能電力電子系統(tǒng)中的理想選擇�
NTMFS5C366NL, IRFZ44N, FDP16N50