日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTF3055L175T1G

NTF3055L175T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:16:42 查看 閱讀�14

NTF3055L175T1G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的功� MOSFET 系列。該器件專為高效率開�(guān)�(yīng)用設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于多種電力電子場��
  其主要特�(diǎn)在于�(yōu)化了�(dǎo)通電阻與柵極電荷之間的平�,從而在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。此�,該器件采用� TO-220 封裝形式,具備良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流�175A
  �(dǎo)通電阻:2.8mΩ
  柵極電荷�96nC
  功耗:135W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

NTF3055L175T1G 的導(dǎo)通電阻非常低,僅� 2.8mΩ,這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損��
  同時,該器件的柵極電荷相對較小,僅為 96nC,這意味著在高頻開�(guān)�(yīng)用中,驅(qū)動損耗較低,�(jìn)一步提升了整體效率�
  它的封裝形式� TO-220,這種封裝具有良好的熱性能,能夠有效將熱量散發(fā)到外部環(huán)�,適合長時間�(yùn)行在高功率條件下�
  此外,該 MOSFET 的漏源電壓額定值為 55V,使其非常適合低壓大電流的應(yīng)用場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動器以及電池管理系統(tǒng)��
  工作溫度范圍寬廣,從 -55°C � +175°C,確保了其在極端�(huán)境下的可靠性和�(wěn)定性�

�(yīng)�

NTF3055L175T1G 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和大電流處理能力的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)動器
  4. 工業(yè)自動化設(shè)�
  5. 電動汽車中的電池管理系統(tǒng)
  6. 大功� LED �(qū)動器
  7. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)
  由于其出色的電氣特性和熱性能,這款 MOSFET 成為了許多高性能電力電子系統(tǒng)中的理想選擇�

替代型號

NTMFS5C366NL, IRFZ44N, FDP16N50

ntf3055l175t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntf3055l175t1g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ntf3055l175t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C175 毫歐 @ 1A�5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds270pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTF3055L175T1GOSNTF3055L175T1GOS-NDNTF3055L175T1GOSTR