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NTF2955PT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/6 17:31:23 查看 閱讀�214

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�170 毫歐 @ 750mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�1.7A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 1mA
閘電�(Qg) @ Vgs�14.3nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �492pF @ 25V
功率 - 最大:1W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:SOT-223 (3 引線 + 接片), SC-73, TO-261
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223

ntf2955pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntf2955pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C185 毫歐 @ 2.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds492pF @ 25V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)