NTD5C648NLT4G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采� SuperSOT-32 封裝形式。該器件適用于各種高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,如直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等。由于其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),這款 MOSFET 在便攜式�(shè)備及空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
SuperSOT-32 封裝具有體積�、散熱性能良好的優(yōu)�(shì),使� NTD5C648NLT4G 成為一種理想的功率半導(dǎo)體解決方�。同�(shí),該�(chǎn)品具備較高的雪崩擊穿能量,確保在異常工作條件下的可靠性�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
持續(xù)漏極電流�9.2A
�(dǎo)通電阻(典型值)�7mΩ
總功耗:1.08W
�(jié)溫范圍:-55� to 150�
1. 超低�(dǎo)通電�,減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高切換頻率支�,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
3. 卓越的熱�(wěn)定�,可適應(yīng)較寬的工作溫度范��
4. 高雪崩擊穿能�,提升產(chǎn)品的可靠性與耐用��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保設(shè)�(jì)�
6. 小型化封� SuperSOT-32,節(jié)� PCB 空間�
1. 直流-直流�(zhuǎn)換器
2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)
3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的保護(hù)電路
5. 便攜式設(shè)備中的電源管�
6. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路
IRLML6402TRPBF, AO3400A