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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTD5C648NLT4G

NTD5C648NLT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:44:12 查看 閱讀�25

NTD5C648NLT4G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采� SuperSOT-32 封裝形式。該器件適用于各種高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,如直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等。由于其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),這款 MOSFET 在便攜式�(shè)備及空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
  SuperSOT-32 封裝具有體積�、散熱性能良好的優(yōu)�(shì),使� NTD5C648NLT4G 成為一種理想的功率半導(dǎo)體解決方�。同�(shí),該�(chǎn)品具備較高的雪崩擊穿能量,確保在異常工作條件下的可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  持續(xù)漏極電流�9.2A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�7mΩ
  總功耗:1.08W
  �(jié)溫范圍:-55� to 150�

特�

1. 超低�(dǎo)通電�,減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高切換頻率支�,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
  3. 卓越的熱�(wěn)定�,可適應(yīng)較寬的工作溫度范��
  4. 高雪崩擊穿能�,提升產(chǎn)品的可靠性與耐用��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保設(shè)�(jì)�
  6. 小型化封� SuperSOT-32,節(jié)� PCB 空間�

�(yīng)�

1. 直流-直流�(zhuǎn)換器
  2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)
  3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的保護(hù)電路
  5. 便攜式設(shè)備中的電源管�
  6. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路

替代型號(hào)

IRLML6402TRPBF, AO3400A

ntd5c648nlt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntd5c648nlt4g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,221�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �37.21000剪切帶(CT�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)22A(Ta),91A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)4.1 毫歐 @ 45A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2900 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.4W(Ta��76W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63