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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTD4979N-35G

NTD4979N-35G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 22:47:58 查看 閱讀�13

NTD4979N-35G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用 TO-263 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合于中高功率�(yīng)用環(huán)境�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高效的功率�(zhuǎn)換性能,同�(shí)保持良好的穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�35A
  �(dǎo)通電阻:2.8mΩ
  柵極電荷�10nC
  總電容:1350pF
  功耗:15W
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

NTD4979N-35G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下可低至 2.8mΩ,從而降低傳�(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)用�
  3. 高雪崩能�,能夠承受異常狀�(tài)下的能量沖擊�
  4. 提供了優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠�(yùn)��
  5. 柵極閾值電壓較低,易于�(qū)�(dòng),兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

NTD4979N-35G 可用于多種電力電子場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  4. 繼電器替代方案,用于需要快速響�(yīng)的應(yīng)��
  5. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  6. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5570, STP36NF06L

ntd4979n-35g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ntd4979n-35g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝75
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.4A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 30A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds837pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.38W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引�(xiàn),IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�I-Pak
  • 包裝管件