NTD4860NT4G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,廣泛用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻的開關(guān)�(yīng)用中。這種 MOSFET 具有出色的開�(guān)性能和較低的�(dǎo)通損�,適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)控制以及電源管理等場(chǎng)��
其設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需�,同�(shí)保持較高的可靠性和耐用��
最大漏源電壓:55V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�19A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):17mΩ
總功耗:115W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263-3
NTD4860NT4G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 較高的連續(xù)漏極電流能力,使其能夠適�(yīng)大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損��
4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性�
5. 寬工作溫度范�,適合惡劣環(huán)境中的應(yīng)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化�(shè)�(jì)��
這些特點(diǎn)使得 NTD4860NT4G 成為工業(yè)、汽車和消費(fèi)類應(yīng)用的理想選擇�
NTD4860NT4G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電池保護(hù)電路及負(fù)載開�(guān)�
3. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制應(yīng)��
4. 電信�(shè)備中的電源管理模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)的功率級(jí)組件�
由于其優(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定�,該器件特別適合要求高性能和高可靠性的�(chǎng)合�
NTD4860N, IRFZ44N, FDP5570N