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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTD4860NT4G

NTD4860NT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 12:18:13 查看 閱讀�23

NTD4860NT4G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,廣泛用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻的開關(guān)�(yīng)用中。這種 MOSFET 具有出色的開�(guān)性能和較低的�(dǎo)通損�,適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)控制以及電源管理等場(chǎng)��
  其設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需�,同�(shí)保持較高的可靠性和耐用��

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�19A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):17mΩ
  總功耗:115W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263-3

特�

NTD4860NT4G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 較高的連續(xù)漏極電流能力,使其能夠適�(yīng)大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損��
  4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性�
  5. 寬工作溫度范�,適合惡劣環(huán)境中的應(yīng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化�(shè)�(jì)��
  這些特點(diǎn)使得 NTD4860NT4G 成為工業(yè)、汽車和消費(fèi)類應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

NTD4860NT4G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電池保護(hù)電路及負(fù)載開�(guān)�
  3. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制應(yīng)��
  4. 電信�(shè)備中的電源管理模塊�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)的功率級(jí)組件�
  由于其優(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定�,該器件特別適合要求高性能和高可靠性的�(chǎng)合�

替代型號(hào)

NTD4860N, IRFZ44N, FDP5570N

ntd4860nt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntd4860nt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫歐 @ 30A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1308pF @ 12V
  • 功率 - 最�1.28W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)