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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G 發(fā)布時間 時間�2023/4/11 10:02:02 查看 閱讀�795

NTD3055-094T4G技術參�(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�60

源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ)�94

最大漏極電流Id(on)(A)�

通道極性:N溝道

封裝/溫度(�):DPAK 4/-55 ~150

描述�60 V, 9.0 A功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

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  • 產品型號
  • 供應�
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ntd3055-094t4g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C94 毫歐 @ 6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds450pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD3055-094T4GOSTR