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NTD20N03L27T4-UDU 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/30 18:51:51 查看 閱讀：7

NTD20N03L27T4-UDU 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，屬于超低導(dǎo)通電阻的邏輯電平驅(qū)動(dòng)器件。該型號(hào)采用 TO-263（DPAK）封裝形式，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。其優(yōu)化的設(shè)計(jì)使其具備極低的導(dǎo)通電阻以及良好的開(kāi)關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　這款 MOSFET 通過(guò)降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，顯著提升了系統(tǒng)的整體效率，同時(shí)其緊湊的封裝形式有助于減少 PCB 占用空間。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.8mΩ
　　柵極電荷：9nC
　　輸入電容：1500pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　總功耗：38W

特性

NTD20N03L27T4-UDU 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 較小的柵極電荷 (Qg)，可以實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 支持邏輯電平驅(qū)動(dòng)，便于與大多數(shù)微控制器和驅(qū)動(dòng)電路直接連接。
　　4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　5. 適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和電氣性能。
　　6. DPAK 封裝形式提供了高效的散熱路徑，能夠支持大電流操作。

應(yīng)用

該 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流器。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，例如降壓或升壓轉(zhuǎn)換器。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
　　4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　5. LED 驅(qū)動(dòng)器和電池管理系統(tǒng)。
　　由于其低導(dǎo)通電阻和高效性能，NTD20N03L27T4-UDU 特別適合需要高效率和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合。

替代型號(hào)

NTD20N03L, IRLZ44N, FDN367P

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