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NTD20N03HL 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 10:25:25 查看 閱讀�5

NTD20N03HL是一款由ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用邏輯電平柵極�(qū)動設(shè)�,使其能夠直接與微控制器或其他低電壓邏輯電路接口。其額定耐壓�30V,連續(xù)漏極電流可達20A,適用于各種中低壓應(yīng)用場�。NTD20N03HL具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機控制、電池管理等�(yīng)用領(lǐng)��
  該器件封裝形式為TO-220,這種封裝提供了良好的散熱性能,并且易于安裝在印刷電路板上�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�7.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�18nC
  總功耗:140W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
  封裝類型:TO-220

特�

NTD20N03HL具有以下主要特性:
  1. 額定耐壓30V,適合低壓系�(tǒng)�(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻,僅為7.5mΩ(典型值),有助于降低功率損耗并提高效率�
  3. 高開�(guān)速度,柵極電荷低�18nC(典型值),能�?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作�
  4. 邏輯電平柵極�(qū)動,支持低至4.5V的柵極驅(qū)動電�,簡化了與數(shù)字信號的接口�(shè)��
  5. 良好的熱性能,采用TO-220封裝,可有效散發(fā)熱量�
  6. 寬工作溫度范�,能夠在-55℃至150℃的�(huán)境下�(wěn)定運��
  7. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)��

�(yīng)�

NTD20N03HL廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 電動工具和小型電機驅(qū)動中的功率控制�
  4. 汽車電子�(shè)備中的負載開�(guān)和保護電��
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的繼電器替代方案�
  7. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模��

替代型號

NTD20N03L, IRFZ44N, FDP5570

ntd20n03hl推薦供應(yīng)� 更多>

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