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NTD18N06LT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 11:06:38 查看 閱讀�773

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

家庭:MOSFET,GaNFET - �

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 特點(diǎn):邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�65 毫歐 @ 9A, 5V

漏極至源極電�(Vdss)�60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�18A

Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2V @ 250?A

閘電�(Qg) @ Vgs�22nC @ 5V

� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �675pF @ 25V

功率 - 最大:55W

安裝類型:表面貼�

封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak

其它名稱:NTD18N06LT4GOS

資料

廠商
ON Semiconductor

ntd18n06lt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價(jià)

ntd18n06lt4g資料 更多>

  • 型號(hào)
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ntd18n06lt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫歐 @ 9A�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds675pF @ 25V
  • 功率 - 最�55W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD18N06LT4GOSNTD18N06LT4GOS-NDNTD18N06LT4GOSTR