NTA4153NT1G-001是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于多種電源管理和電機�(qū)動應�。它通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、開關模式電源(SMPS�、負載開關以及電池保護電路等領域�
該型號屬于安森美(ON Semiconductor)推出的MOSFET系列,主要面向工�(yè)及消費電子市��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�38A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�47nC
總電容:1690pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
NTA4153NT1G-001的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低功耗并提升效率�
2. 高電流處理能力,可承受高�38A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開關速度,適合高頻操作環(huán)��
4. 緊湊且散熱性能良好的TO-263封裝,有助于簡化設計布局�
5. 寬泛的工作溫度范�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
6. �(nèi)置反向二極管,支持續(xù)流功�,特別適合于電機�(qū)動等場景�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關元件�
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓拓��
3. 電機�(qū)動和控制電路中的功率級組��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護開關�
5. 負載開關和功率分配網(wǎng)��
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模��
其強大的電流承載能力和低導通電阻使它成為高性能功率管理的理想選��
NTA4153N, IRFZ44N, FDP55N06L