NSVRB521S30T1G 是一款由ONSEMI(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的高� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電�,適合在高功率密度的�(yīng)�-263-3(DPAK�,能夠有效提升散熱性能并滿足緊湊型�(shè)�(jì)需��
這款 MOSFET 主要用于需要高效率、快速開�(guān)的場(chǎng)�,例如電源管理模塊、電�(jī)�(qū)�(dòng)、工�(yè)控制以及汽車電子系統(tǒng)��
型號(hào):NSVRB521S30T1G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓(Vdss)�600V
額定電流(Id)�24A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.45Ω (最大值,在Vgs=10V�(shí))
柵極電荷(Qg)�15nC (典型�)
輸入電容(Ciss)�1720pF (典型�)
)�600V (最小�)
功�(Ptot)�20W (最大�,結(jié)�150℃時(shí))
工作溫度范圍(Ta)�-55� � +150�
封裝:TO-263-3 (DPAK)
NSVRB521S30T1G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力:額定電壓高�(dá)600V,適用于各種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 較低的導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為0.45Ω(在Vgs=10V�(shí)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷Qg�15nC典型值)使器件具備更快的開關(guān)速度,從而降低開�(guān)損��
4. 良好的熱性能:采用TO-263-3封裝,可有效散發(fā)熱量,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 寬工作溫度范圍:能夠�-55℃至+150℃范圍內(nèi)正常工作,適�(yīng)極端�(huán)境條��
6. 可靠性高:符合安森美�(yán)格的制造標(biāo)�(zhǔn)和質(zhì)量要�,可靠性強(qiáng)且壽命長(zhǎng)�
NSVRB521S30T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):如AC/DC適配器、LED�(qū)�(dòng)器等,提供高效穩(wěn)定的電源�(zhuǎn)換�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)或其他類型的電機(jī)控制,實(shí)�(xiàn)精確的速度�(diào)節(jié)�
3. 工業(yè)控制:包括逆變�、不間斷電源(UPS)和其他工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管��
4. 汽車電子:如電動(dòng)車窗、座椅調(diào)節(jié)及電池管理系�(tǒng)中的功率�(jí)元件�
5. 充電器:為手�(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備提供高效的充電解決方案�
6. 太陽(yáng)能微逆變器:幫助將太�(yáng)能轉(zhuǎn)化為可用電力,并�(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效��
NTBL21N60N3L,
IRF840,
FDP5500,
FDS6580