日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NSV60600MZ4T1G

NSV60600MZ4T1G 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 8:41:50 查看 閱讀:16

NSV60600MZ4T1G 是一款由恩智浦(NXP)半導體生產(chǎn)的高效能、低功耗的 MOSFET 場效應晶體管。該器件屬于 N 溝道增強型 MOSFET,廣泛應用于電源管理、開關(guān)電路、電機驅(qū)動和負載控制等領(lǐng)域。
  這款芯片設(shè)計以高可靠性和卓越的電氣性能為特點,能夠滿足工業(yè)、汽車及消費類電子產(chǎn)品的嚴格要求。其封裝形式為 LFPAK56D,具有良好的散熱性能和緊湊的尺寸。

參數(shù)

型號:NSV60600MZ4T1G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  漏源電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):60A
  柵極-源極電壓(Vgs):±20V
  導通電阻(Rds(on)):3.9mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  總功耗:20W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝:LFPAK56D

特性

NSV60600MZ4T1G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力 (60A),適合大功率應用。
  3. 良好的熱性能,確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
  4. 小巧的 LFPAK56D 封裝設(shè)計,節(jié)省印刷電路板空間。
  5. 支持寬范圍的工作溫度 (-55°C 至 +175°C),適用于嚴苛的工業(yè)和汽車場景。
  6. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗并優(yōu)化高頻操作表現(xiàn)。
  7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛工藝制造。

應用

NSV60600MZ4T1G 可用于以下應用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)元件。
  2. 電動工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機驅(qū)動電路。
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與保護功能。
  4. 大功率 LED 驅(qū)動器的開關(guān)元件。
  5. 各種電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制。
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的繼電器替代方案。
  7. 通信設(shè)備中的電源分配與管理。

替代型號

NTMFS6060NZ, IRF6652Z, FDS6650AZ

nsv60600mz4t1g推薦供應商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nsv60600mz4t1g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

nsv60600mz4t1g參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)6A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)60V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)350mV @ 600mA,6A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)120 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大800mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應商設(shè)備封裝SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)