NSS40200LT1G是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電機驅(qū)�、負載開�(guān)和其他需要高效開�(guān)性能的電路中。該器件采用TO-263封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合于高頻開關(guān)�(yīng)用�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:7.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�39nC(典型值)
總電容:1420pF(輸入電容)
功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
NSS40200LT1G具備低導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
其快速開�(guān)能力能夠支持高頻操作,適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器等場��
高雪崩能量能力和強魯棒性使其能夠在嚴苛�(huán)境下可靠運行�
�(yōu)化的熱性能�(shè)計允許在高溫條件下穩(wěn)定工��
該產(chǎn)品符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高�
NSS40200LT1G主要�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和汽車領(lǐng)域中的多種場合,例如�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及同步整流電��
3. 電機�(qū)動和電池保護電路�
4. 負載開關(guān)和高端開�(guān)�
5. 電信�(shè)備中的電源管理模塊�
IRFZ44N
STP16NF10
FDP16N10S
IXTH18N10L2