NSS35200MR6T1G
時間�2023/4/13 11:12:16
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概述
制造商:ONSemiconductor
產品種類:雙極小信號
RoHS:是
配置:SingleQuadCollector
晶體管極性:PNP
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:TSOP-6
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO�35V
�(fā)射極-基極電壓VEBO�5V
集電極連續(xù)電流�-2A
最大直流電集電極電流:2A
功率耗散�625mW
最大工作頻率:100MHz
最大工作溫度:+150�
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�
StandardPackQty�3000
nss35200mr6t1g推薦供應�
更多>
- NSS35200MR6T1G
- 深圳世鵬翔科技有限公司
- 10000
- onsemi(安森�)
- 24+/TSOP61.5mm
-
nss35200mr6t1g參數
- 產品培訓模塊Low Vce(sat) BJT Power Savings
- 標準包裝3,000
- 類別分離式半導體產品
- 家庭晶體�(BJT) - 單路
- 系列-
- 晶體管類�PNP
- 電流 - 集電� (Ic)(最大)2A
- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)35V
- Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)310mV @ 20mA�2A
- 電流 - 集電極截止(最大)100nA
- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)100 @ 1.5A�1.5V
- 功率 - 最�625mW
- 頻率 - 轉換100MHz
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SC-74,SOT-457
- 供應商設備封�6-TSOP
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱NSS35200MR6T1G-ND