NSS1C201MZ4T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)� N 灃道晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,適用于各種需要高效開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)景。它具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,非常適合用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)��
該晶體管主要特點(diǎn)包括高效�、高可靠性和出色的熱性能,同�(shí)其小型化的封裝使其在空間受限的設(shè)�(jì)中更具優(yōu)�(shì)�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏電流:2.3A
脈沖漏電流:9.2A
�(dǎo)通電阻:75mΩ
柵極電荷�11nC
開關(guān)�(shí)間:典型� 8ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:DFN2020-6
NSS1C201MZ4T1G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,能夠支持高頻應(yīng)用需��
3. 高電流承載能�,適合驅(qū)�(dòng)大功率負(fù)��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在寬溫度范圍�(nèi)保持性能一致��
5. 小型化的 DFN2020-6 封裝,節(jié)� PCB 空間�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
7. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)器件可靠��
這款晶體管通過�(yōu)化設(shè)�(jì),確保在�(fù)雜的工作�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
NSS1C201MZ4T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的功率開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦的�(fù)載開�(guān)�
5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換�
由于其出色的電氣特性和緊湊的封裝形�,該器件成為�(xiàn)代電子設(shè)�(jì)的理想選擇�
NSS1C200NZ4T1G
NSS1C201PZ4T1G
FDMQ8201
Si2301DS