NSR10F30NXT5G是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,由納微半導體(Navitas Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用先進的GaN材料,具備高�、高效和高功率密度的特�,適用于快充適配�、數(shù)�(jù)中心電源和其他高性能電源�(zhuǎn)換應(yīng)用�
NSR10F30NXT5G采用了半橋拓撲結(jié)�(gòu)�(shè)�,集成了�(qū)動器和保護電�,能夠顯著簡化電源設(shè)計并提高系統(tǒng)效率。此外,該芯片封裝為GaNPak系列,支持更高頻率下的開�(guān)操作,從而減少磁性元件的體積和重��
額定電壓�600V
連續(xù)漏極電流�10A
導通電阻:30mΩ
柵極電荷�80nC
輸入電容�2470pF
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:QFN-8x8mm
NSR10F30NXT5G具有以下顯著特性:
1. 高效開關(guān)性能:得益于GaN材料的低寄生電感和快速開�(guān)速度,能�?qū)崿F(xiàn)高達2MHz的工作頻�,相比傳�(tǒng)硅MOSFET提高了約10��
2. 高集成度:將�(qū)動器、保護功能和GaN HEMT集成在一個小型封裝中,減少了外圍元件�(shù)量,降低了設(shè)計復雜��
3. 小型化設(shè)計:由于支持高頻操作,可使用更小尺寸的電感和變壓�,從而減小整體解決方案的體積�
4. 熱性能�(yōu)越:能夠在高�175°C的結(jié)溫下可靠運行,適�(yīng)嚴苛的工作環(huán)��
5. 快速瞬�(tài)響應(yīng):內(nèi)置優(yōu)化的�(qū)動電路,確保在負載變化時快速穩(wěn)定輸��
6. 安全保護功能:提供過流保護(OCP)、過溫保護(OTP)和欠壓鎖定(UVLO)等功能,增強系�(tǒng)可靠��
NSR10F30NXT5G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. USB PD快充適配器:
GaN技�(shù)使得充電器更加小巧輕�,同時保持高效的電力傳輸能力�
2. �(shù)�(jù)中心電源�
在高功率密度的應(yīng)用場景下,能夠有效降低能量損耗�
3. 開關(guān)電源(SMPS):
提升效率和功率密�,適用于各種消費類和工業(yè)�(shè)��
4. 無線充電�(fā)射端�
支持更高頻率的無線充電方案,提高傳輸效率�
5. 電機�(qū)動:
用于高頻逆變器應(yīng)�,提升動�(tài)性能并降低熱損��
NSR10F40NXT5G