NSIP83086C-DSWTR是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,專為高頻、高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的封裝工藝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
這款芯片在高頻率工作條件下表�(xiàn)出卓越的效率,并且能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運�,從而滿足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)對高功率密度和可靠性的要求�
型號:NSIP83086C-DSWTR
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):80mΩ(典型值)
連續(xù)漏極電流(Id):8A
脈沖漏極電流(Idp):24A
開關(guān)速度:超�
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:DSWTR
NSIP83086C-DSWTR具有以下顯著特點�
1. 高耐壓能力:其600V的最大漏源電壓使其能夠適�(yīng)寬范圍的輸入電壓�(huán)��
2. 超低�(dǎo)通電阻:80mΩ的典型導(dǎo)通電阻有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
3. 快速開�(guān)性能:得益于氮化鎵技�(shù),該晶體管具備極快的開關(guān)速度,可有效減少開關(guān)損��
4. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,確保在惡劣的工作條件下仍能保持�(wěn)定的性能�
5. 緊湊型封裝:DSWTR封裝形式不僅節(jié)省了PCB空間,還改善了熱傳導(dǎo)效率�
6. 寬溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的�(jié)溫區(qū)�,適用于各種極端條件下的�(yīng)��
NSIP83086C-DSWTR廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括AC-DC適配器和充電器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:如電信�(shè)備中的中間總線架�(gòu)�(zhuǎn)換器�
3. 太陽能逆變器:
4. 電機�(qū)動:用于工業(yè)自動化和家用電器�
5. 電動汽車充電�(shè)施:支持快速充電功能�
6. �(shù)�(jù)中心供電模塊:提升能源利用效��
NSIP83086B-DSWTR, IP83086C-DTR