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NSBC123JDP6T5G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/19 14:08:25 查看 閱讀:15

NSBC123JDP6T5G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率開關(guān)器件,適用于高頻和高功率密度應(yīng)用。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及出色的熱性能,能夠顯著提升系統(tǒng)效率和功率密度。
  該型號屬于英飛凌 CoolGaN 系列產(chǎn)品,主要面向 AC-DC 轉(zhuǎn)換器、PFC(功率因數(shù)校正)電路、無線充電模塊以及其他高頻開關(guān)應(yīng)用場景。

參數(shù)

類型:增強(qiáng)型 GaN 晶體管
  導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):40 mΩ
  擊穿電壓 (Vds):600 V
  柵極閾值電壓 (Vgs(th)):1.8 V
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝形式:D2PAK-7
  連續(xù)漏極電流 (Id):12 A
  輸入電容 (Ciss):1080 pF
  反向傳輸電容 (Crss):28 pF

特性

NSBC123JDP6T5G 的核心優(yōu)勢在于其采用先進(jìn)的氮化鎵技術(shù),具備卓越的開關(guān)特性和熱管理能力。具體特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(40 mΩ),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  2. 快速開關(guān)速度,支持高達(dá)幾兆赫的工作頻率,從而減少磁性元件尺寸并優(yōu)化設(shè)計(jì)體積。
  3. 內(nèi)置溫度保護(hù)功能,提供更高的系統(tǒng)可靠性。
  4. 封裝為 D2PAK-7,具有良好的散熱性能,同時(shí)兼容現(xiàn)有 PCB 設(shè)計(jì)布局。
  5. 高耐壓能力(600 V),使其適合多種高壓應(yīng)用場景,如工業(yè)電源或電動汽車充電樁。

應(yīng)用

NSBC123JDP6T5G 廣泛應(yīng)用于需要高性能功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域,包括但不限于以下場景:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),例如服務(wù)器電源和通信電源。
  2. 功率因數(shù)校正(PFC)電路,用于提升交流轉(zhuǎn)直流系統(tǒng)的效率。
  3. 快速充電器和無線充電設(shè)備,滿足消費(fèi)電子市場對小型化和高效能的需求。
  4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和太陽能逆變器等大功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
  5. 電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的 DC-DC 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。

替代型號

BSC098N06NS5
  BSC120N06NS5
  GAN041-650WSA

nsbc123jdp6t5g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

nsbc123jdp6t5g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝8,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)2.2k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐)47k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大339mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-963
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-963
  • 包裝帶卷 (TR)