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NSB9435T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 20:49:31 查看 閱讀�11

NSB9435T1是一款高性能的功率MOSFET晶體�,基于N溝道增強(qiáng)型技�(shù)�(shè)�(jì)。該器件適用于各種開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�,其高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻以及快速開(kāi)�(guān)特性使其在高效率和高可靠性電路中表現(xiàn)出色�
  NSB9435T1采用TO-263封裝形式,具有良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),便于在空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景中使用。此�,它還支持較高的持續(xù)電流能力,能夠滿(mǎn)足大多數(shù)工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:28A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�35mΩ
  柵極電荷�37nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間(典型值)�10ns
  功耗:36W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 高擊穿電�,能夠承受高�(dá)60V的工作電�,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 極低的導(dǎo)通電�,僅�35mΩ,有效降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,具備短�(kāi)�(guān)�(shí)間和低柵極電�,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 高溫適應(yīng)�,工作溫度范圍廣,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 封裝可靠,采用TO-263封裝,提供良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��
  6. 大電流承載能�,支持高�(dá)28A的持�(xù)漏極電流,滿(mǎn)足高功率需��

�(yīng)�

NSB9435T1廣泛�(yīng)用于各類(lèi)需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)控制的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)組件�
  3. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路,用于過(guò)流保�(hù)和快速斷�(kāi)功能�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源管理單��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP28NF06L
  FDP5800

nsb9435t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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nsb9435t1參數(shù)

  • 制造商ON Semiconductor
  • �(chǎn)品種�(lèi)Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置Single
  • 晶體管極�PNP
  • 典型輸入電阻�10 KOhms
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-223-4
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO30 V
  • 集電極連續(xù)電流3 A
  • 峰值直流集電極電流3000 mA
  • 功率耗散3 W
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 封裝Reel
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 工廠包裝�(shù)�1000