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NS12575T100MNV 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 8:51:39 查看 閱讀�18

NS12575T100MNV 是一款由 ON Semiconductor 提供� N 沯道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要用于高效能開(kāi)�(guān)和電源管理應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��

參數(shù)

型號(hào):NS12575T100MNV
  類型:N 沯道 MOSFET
  封裝:TO-247-3
  最大漏源電� (VDS)�100V
  最大柵源電� (VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流 (ID)�75A
  �(dǎo)通電� (RDS(on))�4.5mΩ(典型值,VGS=10V�
  功耗:360W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  柵極電荷 (Qg)�88nC
  反向恢復(fù)�(shí)� (trr)�90ns

特�

NS12575T100MNV 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,可有效減少功率損��
  2. 高效率的�(kāi)�(guān)性能,得益于其快速的�(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷�
  3. 良好的熱性能,能夠承受高功率�(fù)�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
  4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端條件下的�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  這些特性使得該器件非常適合于各種大功率�(yīng)用場(chǎng)�,如�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�

�(yīng)�

NS12575T100MNV 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
  3. 工業(yè)逆變器及不間斷電源系�(tǒng)(UPS)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車的電力管理系統(tǒng)�
  由于其高效率和穩(wěn)定�,這款 MOSFET 成為眾多高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

NTMFS4828N, IRFZ44N

ns12575t100mnv推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ns12575t100mnv參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,995�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �14.39000剪切帶(CT�500 : �7.51028卷帶(TR�
  • 系列NS
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�(jì)
  • 類型鼓芯,繞線式
  • 材料 - 磁芯鐵氧�
  • 電感10 μH
  • 容差±20%
  • 額定電流(安培)5.55 A
  • 電流 - 飽和 (Isat�7.65A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 電阻 (DCR)18.72 毫歐最�
  • 不同頻率�(shí) Q �-
  • 頻率 - 自諧�21.5MHz
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 電感頻率 - �(cè)�100 kHz
  • 特�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼非標(biāo)�(zhǔn)
  • 供應(yīng)商器件封�-
  • 大小 / 尺寸0.492" �(zhǎng) x 0.492" 寬(12.50mm x 12.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)0.309"�7.85mm�