NRVTS560EMFST1G是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,專為高頻開關應用設�。該器件采用增強型場效應晶體管(e-mode FET)結構,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于電源管理、通信設備及工�(yè)控制等領��
此型號是表面貼裝器件(SMD�,采用DFN封裝形式,能夠有效提升散熱性能并減少寄生電感的影響。其高可靠性與�(wěn)定性使其成為新一代電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
導通電阻:80mΩ
柵極閾值電壓:2V~4V
工作結溫范圍�-55℃~+175�
封裝類型:DFN8
NRVTS560EMFST1G的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:600V耐壓能力確保其在高壓�(huán)境下�(wěn)定運行�
2. 極低導通電阻:僅為80mΩ,可顯著降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開關性能:具備高頻率操作能力,適合于高頻AC-DC�(zhuǎn)換器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 增強模式設計:無需負柵極驅(qū)動電壓即可正常工�,簡化了電路設計�
5. 緊湊型封裝:DFN8封裝有助于減小PCB占用空間,同時改善熱管理和電氣性能�
6. 高溫適應性:支持最�175℃的工作溫度,增強了器件在惡劣環(huán)境下的可靠��
NRVTS560EMFST1G廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS):用于AC-DC適配器和電源模塊�
2. 電機�(qū)動:實現(xiàn)高效的無刷直流電機控��
3. 工業(yè)逆變器:提供可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案�
4. 通信基礎設施:如基站電源和服務器電源管理�
5. 光伏逆變器:�(yōu)化太陽能�(fā)電系�(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率�
6. 充電器和快充設備:滿足現(xiàn)代消費類電子�(chǎn)品對快速充電的需��
NRVTS560GMFST1G
IRGB4062DPBF
SiH40N60E
FDMQ8207