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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NRVTS12100EMFST1G

NRVTS12100EMFST1G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 17:16:56 查看 閱讀�4

NRVTS12100EMFST1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高電子遷移率晶體� (HEMT),由知名半導體制造商生產。該器件設計用于高頻、高效率功率轉換應用,例如開關電�、DC-DC 轉換器和射頻放大器等場景。其出色的電氣性能使其在減少能量損耗和提升系統(tǒng)效率方面具有顯著�(yōu)��
  該型號采用先進的 GaN-on-Si 工藝制造,能夠提供更高的開關速度和更低的導通電�。同�,它還具備強大的熱管理能�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運�。NRVTS12100EMFST1G 的封裝形式為符合行業(yè)標準的小型表面貼裝類型,便于自動化生產和集成到現(xiàn)代電路設計中�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200 V
  連續(xù)漏極電流�10 A
  導通電阻(典型值)�150 mΩ
  柵極電荷(Qg):90 nC
  反向恢復電荷(Qrr):無(無體二極管)
  開關頻率范圍:高� 5 MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

NRVTS12100EMFST1G 提供了多種卓越的特�,使其成為高性能功率轉換應用的理想選��
  1. 高擊穿電壓:額定 1200 V 的漏源電壓確保其適用于高壓環(huán)��
  2. 低導通電阻:典型值為 150 mΩ 的導通電阻降低了傳導損��
  3. 快速開關性能:支持高� 5 MHz 的開關頻�,滿足高頻應用需��
  4. 無體二極管設計:避免了反向恢復損�,進一步提升了效率�
  5. 熱穩(wěn)定性:即使在極端溫度條件下,也能保持可靠運��
  6. 小型化封裝:采用 TO-247-4L 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡化裝配流��
  7. �(huán)保材料:符合 RoHS 標準,適合綠色產品設��

應用

NRVTS12100EMFST1G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS):用于提� AC-DC � DC-DC 轉換器的效率�
  2. 電機驅動:支持高效逆變器和控制器設計�
  3. 太陽能逆變器:�(yōu)化光伏系�(tǒng)的能源利用率�
  4. 電動汽車充電設備:實�(xiàn)快速充電和高可靠��
  5. 射頻功率放大器:提供高頻信號處理能力�
  6. �(shù)據中心電源管理:降低功耗并增強散熱性能�
  7. 工業(yè)自動化系�(tǒng):保障關鍵任務應用中的穩(wěn)定性與效率�

替代型號

NRVTS12100EMFSGT1G, NRVTS12100GMFST1G

nrvts12100emfst1g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nrvts12100emfst1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格1 : �7.87000剪切帶(CT�1,500 : �3.55954卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • 技�肖特�
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)12A
  • 不同 If 時電� - 正向 (Vf)730 mV @ 12 A
  • 速度快速恢� =< 500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復時間 (trr)-
  • 不同 Vr 時電� - 反向泄漏55 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 時電�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線
  • 供應商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 工作溫度 - �-55°C ~ 175°C