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NRVBB20H100CTT4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 1:23:59 查看 閱讀：8

NRVBB20H100CTT4G 是一款高性能的功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），專(zhuān)為高電壓、高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，適用于多種電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
　　這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等需要高效能功率控制的領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
　　柵極電荷：85nC
　　總電容：1350pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃

特性

NRVBB20H100CTT4G 具備以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)性能，能夠支持高頻應(yīng)用，從而減小無(wú)源元件體積。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
　　4. 緊湊的封裝設(shè)計(jì)，適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　5. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足環(huán)保要求。

應(yīng)用

該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，用于電池管理系統(tǒng)或通信設(shè)備。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，提供高效的功率傳輸。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
　　6. 各種負(fù)載切換和保護(hù)電路。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　FDP15U20A
　　STP20NE06L

nrvbb20h100ctt4g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

nrvbb20h100ctt4g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE?
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 二極管配置1 對(duì)共陰極
  • 技術(shù)肖特基
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）10A
  • 不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)770 mV @ 10 A
  • 速度快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)-
  • 不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏4.5 μA @ 100 V
  • 工作溫度 - 結(jié)175°C
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝D2PAK