NM1330LD2AE是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、開(kāi)�(guān)電路等場(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的需��
該芯片采用先�(jìn)的制造工�,確保其在高頻和大電流應(yīng)用中的高效性和可靠��
型號(hào):NM1330LD2AE
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源極擊穿電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.4mΩ(典型值,Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏極電流):78A
Vgs(柵源極電壓):±20V
Qg(柵極電荷)�6nC
fsw(最大開(kāi)�(guān)頻率):1MHz
Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55� to +175�
NM1330LD2AE的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電�,僅�2.4mΩ,這顯著降低了功率損耗并提升了效率。此�,該器件具備快速的�(kāi)�(guān)速度,使得它非常適合高頻�(yīng)�。它的高電流處理能力(最�78A)以及寬泛的工作溫度范圍�-55℃至+175℃)保證了其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
該MOSFET還具有優(yōu)異的熱性能和魯棒性,能承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖�,�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
由于采用了TO-252封裝形式,這種表面貼裝技�(shù)不僅便于自動(dòng)化生�(chǎn),還能有效降低寄生電感的影響,提高整體性能�
NM1330LD2AE適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場(chǎng)�,例如:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
4. 汽車電子系統(tǒng)
5. 工業(yè)控制�(shè)�
6. LED�(qū)�(dòng)�
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
其低Rds(on)和高電流承載能力使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�
IRF3205
STP75NF06L
FDP55N06