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NM1330LD2AE 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:17:18 查看 閱讀�22

NM1330LD2AE是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、開(kāi)�(guān)電路等場(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的需��
  該芯片采用先�(jìn)的制造工�,確保其在高頻和大電流應(yīng)用中的高效性和可靠��

參數(shù)

型號(hào):NM1330LD2AE
  類型:N溝道MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  Vds(漏源極擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.4mΩ(典型值,Vgs=10V�
  Id(連續(xù)漏極電流):78A
  Vgs(柵源極電壓):±20V
  Qg(柵極電荷)�6nC
  fsw(最大開(kāi)�(guān)頻率):1MHz
  Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55� to +175�

特�

NM1330LD2AE的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電�,僅�2.4mΩ,這顯著降低了功率損耗并提升了效率。此�,該器件具備快速的�(kāi)�(guān)速度,使得它非常適合高頻�(yīng)�。它的高電流處理能力(最�78A)以及寬泛的工作溫度范圍�-55℃至+175℃)保證了其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  該MOSFET還具有優(yōu)異的熱性能和魯棒性,能承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖�,�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
  由于采用了TO-252封裝形式,這種表面貼裝技�(shù)不僅便于自動(dòng)化生�(chǎn),還能有效降低寄生電感的影響,提高整體性能�

�(yīng)�

NM1330LD2AE適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場(chǎng)�,例如:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  4. 汽車電子系統(tǒng)
  5. 工業(yè)控制�(shè)�
  6. LED�(qū)�(dòng)�
  7. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  其低Rds(on)和高電流承載能力使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRF3205
  STP75NF06L
  FDP55N06

nm1330ld2ae推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)