NJVMJD45H11T4G是一款高性能的MOSFET功率晶體管,主要用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等應用�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻條件下實�(xiàn)高效能表�(xiàn)�
該型號為N溝道增強型MOSFET,廣泛應用于工業(yè)控制、汽車電子以及消費類電子�(chǎn)品等領域�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�23A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V)
總功�(Ptot)�270W
結溫范圍(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
NJVMJD45H11T4G具有非常低的導通電�,能夠顯著減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
該器件具備快速開關性能,適用于高頻應用場景�
其高雪崩擊穿能力和強魯棒性使其在惡劣�(huán)境下依然保持�(wěn)定運行�
此外,該MOSFET還支持超低電荷設�,進一步優(yōu)化了動態(tài)性能,從而降低了開關損��
由于采用了TO-247封裝,它具有良好的散熱性能,適合大功率應用�
開關電源(SMPS)
電機驅動與控�
負載切換
逆變器和轉換�
不間斷電�(UPS)
電池管理系統(tǒng)(BMS)
汽車電子設備中的各種功率控制模塊