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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NJVMJD45H11T4G

NJVMJD45H11T4G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 20:12:54 查看 閱讀�12

NJVMJD45H11T4G是一款高性能的MOSFET功率晶體管,主要用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等應用�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻條件下實�(xiàn)高效能表�(xiàn)�
  該型號為N溝道增強型MOSFET,廣泛應用于工業(yè)控制、汽車電子以及消費類電子�(chǎn)品等領域�

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�23A
  導通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V)
  總功�(Ptot)�270W
  結溫范圍(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

NJVMJD45H11T4G具有非常低的導通電�,能夠顯著減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
  該器件具備快速開關性能,適用于高頻應用場景�
  其高雪崩擊穿能力和強魯棒性使其在惡劣�(huán)境下依然保持�(wěn)定運行�
  此外,該MOSFET還支持超低電荷設�,進一步優(yōu)化了動態(tài)性能,從而降低了開關損��
  由于采用了TO-247封裝,它具有良好的散熱性能,適合大功率應用�

應用

開關電源(SMPS)
  電機驅動與控�
  負載切換
  逆變器和轉換�
  不間斷電�(UPS)
  電池管理系統(tǒng)(BMS)
  汽車電子設備中的各種功率控制模塊

njvmjd45h11t4g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

njvmjd45h11t4g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)8A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)80V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1V @ 400mA�8A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)40 @ 4A�1V
  • 功率 - 最�1.75W
  • 頻率 - 轉換90MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)