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NJG1682MD7-TE1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 18:51:52 查看 閱讀：6

NJG1682MD7-TE1是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先進(jìn)的制造工藝，專為需要高效率和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能，適用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及DC-DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　這款功率MOSFET支持高頻率工作，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和耐受能力，能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持可靠運(yùn)行。其封裝形式經(jīng)過(guò)優(yōu)化，能夠有效提升散熱性能，從而進(jìn)一步增強(qiáng)整體系統(tǒng)效能。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：42A
　　導(dǎo)通電阻：1.3mΩ
　　柵極電荷：38nC
　　總電容：2400pF
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

特性

NJG1682MD7-TE1具備以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 出色的熱穩(wěn)定性，即使在高溫環(huán)境下也能保證可靠的性能。
　　4. 強(qiáng)大的電流承載能力，確保在大電流負(fù)載下依然能正常運(yùn)行。
　　5. 小型化封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間，便于高密度電路布局。
　　6. 支持寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)多種復(fù)雜環(huán)境需求。

應(yīng)用

NJG1682MD7-TE1廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)關(guān)元件。
　　3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路，如無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率模塊。
　　5. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
　　6. LED照明系統(tǒng)的高效驅(qū)動(dòng)方案。
　　7. 其他需要高性能功率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

NJG1682MD7-TE, IRF3710, FDP16N30

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