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NJG1669MD7-TE1 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 17:26:31 查看 閱讀�24

NJG1669MD7-TE1是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)效率�
  該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及各類開�(guān)電路�。其出色的熱性能和電氣特性使其在高功率密度應(yīng)用場景中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�38nC
  總電容:1050pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

NJG1669MD7-TE1具備低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點,從而減少了�(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗�
  它采用了TO-220封裝形式,這種封裝方式提供了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性�
  器件的工作溫度范圍非常寬�,適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
  此外,該MOSFET具有快速開�(guān)能力,適用于高頻操作,并且內(nèi)置了靜電保護(hù)功能以提高可靠��

�(yīng)�

這款功率MOSFET主要�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、電�(jī)�(qū)動電路以及負(fù)載切換等�(lǐng)域�
  由于其高效的開關(guān)特性和耐高壓能力,也常用于工業(yè)控制�(shè)�、汽車電子系�(tǒng)和消費類電子�(chǎn)品中的功率管理部分�

替代型號

NJG1669MD7-TL1, IRFZ44N, FDP5570

njg1669md7-te1推薦供應(yīng)� 更多>

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