NJG1669MD7-TE1是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)效率�
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及各類開�(guān)電路�。其出色的熱性能和電氣特性使其在高功率密度應(yīng)用場景中表現(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�38nC
總電容:1050pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
NJG1669MD7-TE1具備低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點,從而減少了�(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗�
它采用了TO-220封裝形式,這種封裝方式提供了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性�
器件的工作溫度范圍非常寬�,適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
此外,該MOSFET具有快速開�(guān)能力,適用于高頻操作,并且內(nèi)置了靜電保護(hù)功能以提高可靠��
這款功率MOSFET主要�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、電�(jī)�(qū)動電路以及負(fù)載切換等�(lǐng)域�
由于其高效的開關(guān)特性和耐高壓能力,也常用于工業(yè)控制�(shè)�、汽車電子系�(tǒng)和消費類電子�(chǎn)品中的功率管理部分�
NJG1669MD7-TL1, IRFZ44N, FDP5570