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NIS5132MN3TXG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/9 15:01:13 查看 閱讀：2

NIS5132MN3TXG 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和高效率，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用以及需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。其封裝形式為 PowerPAK? 8x8 封裝，具備出色的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì)，適合在空間受限的應(yīng)用中使用。
　　該型號(hào)主要針對(duì)消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備及通信電源等領(lǐng)域設(shè)計(jì)，能夠提供穩(wěn)定的電流處理能力和快速的開關(guān)速度。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：197A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.3mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　輸入電容：3620pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃

特性

NIS5132MN3TXG 使用了先進(jìn)的 TrenchFET 技術(shù)，使其具備非常低的導(dǎo)通電阻，從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此外，該器件支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫操作，確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　這款 MOSFET 還具有快速開關(guān)能力，可降低開關(guān)損耗，并且封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化了熱傳導(dǎo)路徑，進(jìn)一步增強(qiáng)了散熱表現(xiàn)。
　　PowerPAK? 8x8 封裝不僅提供了較低的寄生電感，還實(shí)現(xiàn)了更小的 PCB 占用面積，非常適合現(xiàn)代高密度設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

NIS5132MN3TXG 廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器 (POL) 和 UPS 系統(tǒng)等場(chǎng)景。
　　在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，它可用于筆記本電腦適配器、電視電源以及游戲機(jī)電源解決方案。
　　此外，在工業(yè)領(lǐng)域，該器件可以用于太陽能逆變器、電動(dòng)工具以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

NIS5132LN3TSG, SiR146DP

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nis5132mn3txg參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - 穩(wěn)流/電流管理
  • 系列-
  • 功能電子保險(xiǎn)絲
  • 檢測(cè)方法-
  • 精確度-
  • 輸入電壓9 V ~ 18 V
  • 電流 - 輸出3.6A
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼10-VFDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝10-DFN（3x3）
  • 包裝帶卷 (TR)