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NIS1050MNTBG 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 9:16:56 查看 閱讀�27

NIS1050MNTBG是一種高性能的N溝道增強型MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等場�。該器件采用了先進的半導(dǎo)體工藝制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  其封裝形式為TO-263(D2PAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT)應(yīng)�,同時具備良好的散熱性能�

參數(shù)

型號:NIS1050MNTBG
  類型:N溝道增強型MOSFET
  Vds(漏源極電壓):50V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.8mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):94A
  Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.1V~4.0V
  Qg(總柵極電荷):57nC
  EAS(雪崩能量)�1.2J
  封裝:TO-263(D2PAK�

特�

NIS1050MNTBG具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 較低的柵極電�,有助于實現(xiàn)快速開�(guān)和降低開�(guān)損耗�
  3. 高電流處理能力(最�94A�,適用于大功率應(yīng)用場��
  4. 寬泛的工作電壓范圍(高達50V�,適�(yīng)多種電路�(shè)計需��
  5. 具備良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運行�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)��
  7. 采用D2PAK封裝,方便自動化生產(chǎn)和安�,同時提供優(yōu)秀的散熱性能�

�(yīng)�

NIS1050MNTBG由于其卓越的性能和可靠�,廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
  4. 負載開關(guān)和保護電路中的電子保險絲�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)及逆變器組��
  7. 各類消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��

替代型號

NIS1050LNTBG, IRF540NPBF, FDP067N06L

nis1050mntbg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nis1050mntbg資料 更多>

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nis1050mntbg參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭接口 - 專用
  • 系列-
  • �(yīng)�移動通信
  • 接口-
  • 電源電壓3 V ~ 30 V
  • 封裝/外殼6-WDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-WDFN�2x2�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 安裝類型表面貼裝
  • 其它名稱NIS1050MNTBG-NDNIS1050MNTBGOSTR