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NIF9N05CLT3G 發(fā)布時間 時間�2023/11/9 17:30:30 查看 閱讀�283

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�125 毫歐 @ 2.6A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�52V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.6A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 100μA
閘電�(Qg) @ Vgs�7nC @ 4.5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �250pF @ 35V
功率 - 最大:1.69W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:SOT-223 (3 引線 + 接片), SC-73, TO-261
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223
其它名稱:NIF9N05CLT3GOS

nif9n05clt3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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nif9n05clt3g資料 更多>

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nif9n05clt3g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)52V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫歐 @ 2.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds250pF @ 35V
  • 功率 - 最�1.69W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NIF9N05CLT3GOS