NGTD30T120F2SWK是一款由英飛凌(Infineon)生產的MOSFET功率晶體�。該器件采用TRENCHSTOP?技術制�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于各種高效率電源轉換和電機驅動應用。它屬于OptiMOS?系列,封裝形式為DPAK(TO-252),能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
這款MOSFET的耐壓等級�120V,連續(xù)漏極電流高達30A(在特定條件下),使其非常適合用于工�(yè)控制、消費電子以及通信設備等領域的高效能電路設��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�48nC(典型值)
輸入電容�2760pF(典型值)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝類型:DPAK(TO-252�
NGTD30T120F2SWK具備以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高效的開關性能,適合高頻應用場��
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在寬廣的工作溫度范圍內保持可靠運行�
4. 內置反并�(lián)二極�,支持同步整流功��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
6. 小型化的DPAK封裝,便于PCB布局與散熱設��
NGTD30T120F2SWK適用于多種應用場�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
2. DC-DC轉換器中的功率開關元��
3. 電機驅動電路中的逆變橋臂開關�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換和保護電路�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
6. 消費類電子產品中的充電器和適配器設計�
IRL30SD120PBF, FDP18N12A, STP30NF12W