NGTB45N60SWG是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體管。該器件采用TO-247封裝形式,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)�、逆變器等高電壓和高電流應用中。其主要特點是低導通電�、高擊穿電壓和快速開關特��
型號:NGTB45N60SWG
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源極電壓(Vds):600V
最大柵源極電壓(Vgs):±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id):45A
導通電阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗(Ptot):360W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
NGTB45N60SWG具有�(yōu)異的電氣性能和可靠��
1. 高擊穿電壓(600V�,適合高壓應用場景,例如工業(yè)電源和逆變器系�(tǒng)�
2. 極低的導通電阻(0.18Ω�,有助于減少傳導損耗并提高效率�
3. 快速開關能�,能有效降低開關損耗�
4. 強大的電流承載能力(高達45A�,適用于高負載需求的應用�
5. 耐熱增強型TO-247封裝設計,具備良好的散熱性能�
6. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
這些特性使NGTB45N60SWG成為需要高效能量轉(zhuǎn)換和控制應用的理想選��
NGTB45N60SWG主要應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率開關�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
3. 工業(yè)逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設��
5. 各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品的功率管理模塊�
由于其高電壓和大電流處理能力,它非常適合在需要高性能功率�(zhuǎn)換的場合使用�
NTBG45N60, IRFP460, STW97N60