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NGTB40N65IHL2WG 發(fā)布時間 時間�2025/5/27 10:32:40 查看 閱讀�12

NGTB40N65IHL2WG 是一款由 Nexperia(原恩智浦半�(dǎo)體分立器件部門)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)� TrenchMOS 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于高效率的開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC �(zhuǎn)換器以及各種工業(yè)�(yīng)�。其額定電壓� 650V,最大連續(xù)漏極電流� 40A,封裝形式為 DPAK(TO-263�。這款 MOSFET 以其出色的電氣性能和可靠性著稱,適合需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場��
  NGTB40N65IHL2WG 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于�(yōu)化導(dǎo)通電阻與柵極電荷之間的平衡,從而提高整體系�(tǒng)效率并降低功�。此�,它還具有良好的熱特性和抗雪崩能力,能夠適應(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�40A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�170mΩ
  柵極電荷(典型值)�85nC
  反向恢復(fù)時間�40ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

NGTB40N65IHL2WG 具備以下主要特性:
  1. 額定電壓高達(dá) 650V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(典型值為 170mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損��
  3. 柵極電荷�?。ǖ湫椭禐?85nC),提高了開�(guān)效率�
  4. 反向恢復(fù)時間短(� 40ns�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用�
  5. 支持寬廣的工作溫度范圍(-55� � +175℃),滿足工�(yè)級需求�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  7. 封裝形式� DPAK(TO-263�,便于安裝和散熱�
  8. �(nèi)置保�(hù)功能,如抗雪崩能力和過流保護(hù),提升了器件的魯棒��

�(yīng)�

NGTB40N65IHL2WG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)��
  2. 電機(jī)�(qū)動:控制直流無刷電機(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備:例如可編程邏輯控制器(PLC)、伺服驅(qū)動器��
  4. 新能源系�(tǒng):如太陽能逆變�、風(fēng)力發(fā)電控制器等�
  5. 汽車電子:包括電動車充電�、車載電源管理系�(tǒng)��
  6. LED 照明�(qū)動電路:提供高效的電流調(diào)節(jié)能力�
  7. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS):�(shí)�(xiàn)精確的充放電控制�

替代型號

NTBG40N65L2, IRFB4110TRPBF, FDP15N65S

ngtb40n65ihl2wg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ngtb40n65ihl2wg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT 類型溝槽型場截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)80 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)160 A
  • 不同?Vge、Ic �?Vce(on)(最大值)2.2V @ 15V�40A
  • 功率 - 最大�300 W
  • 開關(guān)能量360μJ(關(guān)�
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷135 nC
  • 25°C � Td(開/�(guān))�-/140ns
  • 測試條件400V�40A�10 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)時間 (trr)465 ns
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-3