NGTB40N60L2WG是一款由 Nexperia(原恩智浦半導體分立器件部門)生產(chǎn)的高壓MOSFET。該器件采用N溝道增強型技術(shù),專為高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應用設計。其封裝形式為LFPAK56D(Power-SO8),具備極低的導通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)性能。
這款MOSFET具有600V的額定漏源電壓,適合高耐壓場景,例如LED驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制等應用領(lǐng)域。通過優(yōu)化的芯片設計,它在高頻工作條件下能夠顯著降低功耗并提升效率。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:40A
導通電阻(典型值,Vgs=10V):90mΩ
柵極電荷(典型值):25nC
輸入電容(典型值):1080pF
總功耗:23W
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
NGTB40N60L2WG的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:600V,確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。
2. 超低導通電阻:在Vgs=10V時,導通電阻僅為90mΩ,從而減少傳導損耗。
3. 快速開關(guān)能力:具備較低的柵極電荷和輸出電容,有助于實現(xiàn)高頻操作。
4. 熱穩(wěn)定性強:支持最高結(jié)溫達175℃,適應惡劣環(huán)境。
5. 小型化封裝:LFPAK56D封裝節(jié)省PCB空間,同時提供出色的散熱性能。
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計。
NGTB40N60L2WG適用于多種功率電子應用,具體包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器和PFC電路中的高效功率開關(guān)。
3. 電動車及工業(yè)電機控制中的逆變器模塊。
4. LED驅(qū)動器中的負載開關(guān)或調(diào)光控制。
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護開關(guān)。
6. 其他需要高耐壓和低損耗的功率轉(zhuǎn)換場景。
NTBG40N60L2G, IRFB4110TRPBF