NGTB20N135IHRWG 是一款由 Nexperia 生產(chǎn)的增�(qiáng)� N 溝道功率 MOSFET,采� Trench 技�(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(chǎng)�。其封裝形式� DPAK (TO-252),適合表面貼裝工�,同�(shí)具備出色的熱性能和電氣性能�
該型�(hào)是工�(yè)�(jí)�(chǎn)品,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,滿足多種工�(yè)�(yīng)用需��
最大漏源電壓:135V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻(典型值)�160mΩ
柵極電荷�40nC
總電容:180pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:DPAK (TO-252)
功耗:17.5W
NGTB20N135IHRWG 的主要特性包括:
1. 高電壓承受能力:額定漏源電壓高達(dá) 135V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅� 160mΩ,在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中能夠顯著降低�(dǎo)通損耗�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:低柵極電荷和總電容�(shè)�(jì)使其具備快速的�(kāi)�(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)效率�
4. 工業(yè)�(jí)可靠性:能夠� -55� � +175� 的寬溫范圍內(nèi)正常工作,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定��
5. 表面貼裝封裝:DPAK 封裝便于自動(dòng)化生�(chǎn),同�(shí)提供良好的散熱性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì),滿足國(guó)際環(huán)保法�(guī)要求�
� MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流或功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
4. 各類�(fù)載切換應(yīng)�,例如電池保�(hù)、繼電器替代��
5. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng)的輔助功率控制(需確認(rèn)具體 AEC-Q101 �(rèn)證情況)�
NTBG20N135H, IRF540N, FDP18N13E