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NGTB20N135IHRWG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 15:48:48 查看 閱讀�24

NGTB20N135IHRWG 是一款由 Nexperia 生產(chǎn)的增�(qiáng)� N 溝道功率 MOSFET,采� Trench 技�(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(chǎng)�。其封裝形式� DPAK (TO-252),適合表面貼裝工�,同�(shí)具備出色的熱性能和電氣性能�
  該型�(hào)是工�(yè)�(jí)�(chǎn)品,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,滿足多種工�(yè)�(yīng)用需��

參數(shù)

最大漏源電壓:135V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�160mΩ
  柵極電荷�40nC
  總電容:180pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:DPAK (TO-252)
  功耗:17.5W

特�

NGTB20N135IHRWG 的主要特性包括:
  1. 高電壓承受能力:額定漏源電壓高達(dá) 135V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅� 160mΩ,在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中能夠顯著降低�(dǎo)通損耗�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:低柵極電荷和總電容�(shè)�(jì)使其具備快速的�(kāi)�(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)效率�
  4. 工業(yè)�(jí)可靠性:能夠� -55� � +175� 的寬溫范圍內(nèi)正常工作,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定��
  5. 表面貼裝封裝:DPAK 封裝便于自動(dòng)化生�(chǎn),同�(shí)提供良好的散熱性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì),滿足國(guó)際環(huán)保法�(guī)要求�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流或功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
  4. 各類�(fù)載切換應(yīng)�,例如電池保�(hù)、繼電器替代��
  5. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)的輔助功率控制(需確認(rèn)具體 AEC-Q101 �(rèn)證情況)�

替代型號(hào)

NTBG20N135H, IRF540N, FDP18N13E

ngtb20n135ihrwg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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ngtb20n135ihrwg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT 類型溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)1350 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)40 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2.65V @ 15V�20A
  • 功率 - 最大�394 W
  • �(kāi)�(guān)能量600μJ(關(guān)�
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷234 nC
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�-/245ns
  • �(cè)試條�600V�20A�10 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247