NGTB20N120IHTG是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓MOSFET,采用TO-247封裝形式。這款MOSFET主要�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,具備低導(dǎo)通電阻和高耐壓的特�,能夠滿足高效能功率�(zhuǎn)換的需��
該器件屬于N溝道增強型MOSFET,具�1200V的額定擊穿電�,可以承受較高的漏源電壓,非常適合用于工�(yè)及汽車級�(yīng)用環(huán)��
最大漏源電壓:1200V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:350mΩ(典型值,Vgs=10V時)
總功耗:240W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
NGTB20N120IHTG具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,適用于高電壓應(yīng)用場��
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,可實現(xiàn)高頻操作�
4. 強勁的雪崩能�,增強了器件在異常條件下的魯棒��
5. 寬廣的工作溫度范�,使其能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
總體而言,這款MOSFET以其�(yōu)異的電氣性能和可靠性,成為高電壓功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇�
NGTB20N120IHTG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動和逆變器控��
3. 新能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和電動車充電設(shè)��
4. 高壓負載切換和保護電��
5. 汽車電子中的各類高壓�(qū)動電��
由于其高耐壓特性和大電流承載能�,它特別適合需要處理高電壓、大功率的應(yīng)用場��
NTBFS20N120HFT1G, IRGB20B120D2, FGA20N120AMD