NGTB10N60R2DT4G 是一款由 Nexperia(原恩智浦半�(dǎo)體分立器件部門)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 DPAK (TO-252) 封裝,適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他功率管理�(yīng)�。其額定電壓� 60V,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合需要高效能和高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
這款功率 MOSFET 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電� RDS(on),能夠顯著減少傳�(dǎo)損耗,同時(shí)具備較低的柵極電� Qg,有助于提高開關(guān)頻率并降低開�(guān)損��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電� RDS(on)�2.7mΩ(在 VGS=10V �(shí)�
柵極電荷 Qg�28nC
總電� Ciss�1390pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:DPAK (TO-252)
NGTB10N60R2DT4G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 額定電壓� 60V,適用于中低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),僅� 2.7mΩ(典型值),能夠在高電流條件下有效降低功率損��
3. 柵極電荷 Qg 較小,為 28nC,確保了快速開�(guān)性能和高頻應(yīng)用能力�
4. 支持高達(dá) 10A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
5. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于使用在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
7. DPAK (TO-252) 封裝提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��
NGTB10N60R2DT4G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的功率級(jí)元件�
3. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)部分�
由于其出色的電氣特性和可靠�,該器件成為許多功率�(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)�(yīng)用的理想選擇�
NTBG10N60L2DT4G, IRF540N