NGTB10N60FG 時(shí)間：2025/5/21 12:25:46 閱讀：10

NGTB10N60FG是一款由NewGem公司生產(chǎn)的高壓MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。它主要適用于各種電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，能夠顯著提高效率并降低功耗。
　　這款MOSFET的額定電壓為600V，適合在高壓環(huán)境中工作，同時(shí)其封裝形式為DPAK（TO-252），便于安裝和散熱管理。由于其卓越的性能表現(xiàn)，NGTB10N60FG被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及LED驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓：600V
　　連續(xù)漏極電流：10A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：300mΩ
　　柵極電荷：30nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=45ns, toff=85ns
　　結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：DPAK（TO-252）

特性

1. 高耐壓能力：支持高達(dá)600V的工作電壓，適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：典型值僅為300mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能：短開(kāi)關(guān)時(shí)間和低柵極電荷使得該器件能夠在高頻條件下高效運(yùn)行。
　　4. 穩(wěn)定性強(qiáng)：即使在極端溫度范圍內(nèi)也能保持良好的電氣性能。
　　5. 小型化設(shè)計(jì)：采用DPAK封裝，不僅節(jié)省空間，還能有效改善散熱效果。

應(yīng)用

NGTB10N60FG非常適合用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：提供高效的直流輸出，滿足各種設(shè)備的供電需求。
　　2. 逆變器：用于將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，常用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)和不間斷電源（UPS）。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器：實(shí)現(xiàn)不同電壓等級(jí)之間的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用于汽車電子和工業(yè)控制。
　　4. LED驅(qū)動(dòng)器：精確控制LED的亮度和顏色，提升照明系統(tǒng)的整體性能。
　　5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：支持無(wú)刷直流電機(jī)等復(fù)雜負(fù)載的驅(qū)動(dòng)控制，確保平穩(wěn)運(yùn)行。