NGB8245NT4G 是一款由安森美(onsemi)推出的高效� N 沒爾晶體管(NMOS),專為高功率應用設�。該器件采用了先進的制造工�,確保其在開關電�、電機驅動和負載切換等應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具有良好的散熱性能和電氣特��
型號:NGB8245NT4G
類型:NMOS
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電� Vds�60V
最大柵源電� Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流 Id�17A
導通電� Rds(on)�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功� Ptot�140W
結溫范圍 Tj�-55°C � +175°C
柵極電荷 Qg�85nC(典型值)
反向恢復時間 trr�19ns(典型值)
NGB8245NT4G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下減少功率損耗�
2. 高速開關性能,適合高頻應用環(huán)境�
3. �(yōu)化的柵極電荷設計,減少了驅動器的能耗�
4. 具備出色的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的工作溫度�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
6. 強大的抗雪崩能力,提升了器件的可靠性和魯棒性�
7. 封裝具備良好的散熱能�,便于集成到各種高功率密度的應用中�
NGB8245NT4G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關或同步整流元��
2. 電機驅動電路,用于控制直流無刷電機(BLDC)或其他類型的電��
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護�
4. 電動汽車(EV)及混合動力汽車(HEV)中的電池管理系�(tǒng)(BMS��
5. LED 照明系統(tǒng)的恒流控��
6. 太陽能逆變器以及其他可再生能源轉換設備�
NGB8245NL4G, NTD8245N, IRF840